英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25－150V OptiMOS 源极底置功率MOSFET【2023年01月13日，德国慕尼黑讯】未来电力电子体系的规划将继续推动，以完成最高水平的功能和功率密度。为适应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX ／ OTCQX代码：IFNNY）推

  晶丰明源6.13亿并购MCU厂商凌鸥创芯 标的三年累计成绩许诺1.6亿元

  《科创板日报》（上海，记者 吴凡）10月12日晚间，晶丰明源（688368.SH）发布《发行股份及支付现金购买财物并征集配套资金报告书（草案）》（下称“草案”），进一步清晰了收买凌鸥创芯（南京凌鸥创芯电子有限公司）95.75%股权的收买价格以及标的财物的成绩许诺状况

  TI首款具有集成式有源EMI滤波器的先进直流/直流控制器发布，支撑工程师完成更小的低EMI电源规划

  规划人员能够运用TI全新的降压控制器来优化工业和轿车电子产品中电源的尺度和EMI北京（2021年4月7日）–德州仪器（TI）（NASDAQ代码：TXN）今天推出了全新的同步直流／直流降压控制器系列

  TI推出其首款带集成驱动器、内部维护和有源电源办理的车用GaN FET

  工程师能够使车用充电器和工业电源完成两倍的功率密度和更高功率2020年11月10日，德州仪器（TI）推出了面向轿车和工业使用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），进一步丰厚拓宽了其高压电源办理产品线